NBTI效应严重影响了器件的高温可靠性,本文对基于1.2μm工艺的PDSOI器件进行了NBTI效应研究.通过加速应力试验得到了NBTI效应对PDS......

基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μm SOI工艺,制备了深亚微米抗辐照PD-SOI H型栅nMOSFET。选取不同沟道宽度进行加速应力实......

通过对PDSOI CMOS静态随机存储器（SRAM）在静态偏置条件下器件功耗电流和功能错误数随辐射总剂量、退火时间的变化规律,以及不同温度（2......

分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件．对这些器件的关态击穿特性进行了研究．当背......

报道了一种制作在SIMOX晶圆之上的总计量加固的2μm部分耗尽SOI CMOS 3线—8线译码器电路,其辐照特性由晶体管的阈值电压、电路的......

制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOI nMOSFETs．测试结果表明这样的器件相对于传统的部分耗尽SOI nMOSFETs来说，在提高击......

PDSOI CMOS SRAM单元的临界电荷（Critical Charge）是判断SRAM单元发生单粒子翻转效应的依据.利用针对1.2μm抗辐照工艺提取的PDSOI M......